Короткий опис (реферат):
Стаття присвячена дослідженню впливу температури та магнітного поля на фізичні параметри
(купрум, бісмут)вмісного β-дикетонату. В роботі наведено методику синтезу та виділено в твер-
дому стані гетерометалічну координаційну сполуку. Експериментально доведено, що отримана спо-
лука в спресованому стані володіє напівпровідниковими властивостями. Для синтезу гетероядерної
координаційної сполуки використано безводні хлориди бісмуту (ІІІ) і купруму (II) та пентан-2,4-діон,
реакцію проведено в середовищі 2-пропанолу при нагріванні. Показано, що швидкість реакції синтезу
координаційної сполуки та її практичний вихід зростає в присутності протонно-акцепторного реа-
гента. Встановлено практичний вихід синтезованого продукту, який дорівнює 84% від теоретично
обчисленого. Підтверджено чистоту та ідентичність гетероядерного μ-пентаізопропоксо(трикупр
ум(ІІ), бісмут(ІІІ))тетраацетилацетонату (І) на основі даних елементного аналізу. Визначено, що до
складу сполуки (І) входять атоми двох різних за природою металів, які знаходяться у співвідношенні
Си : Ві = 3:1 і вона має таку брутто формулу: Cu3BiС35 О13Н68. Проведено дослідження магнітних
властивостей за кімнатної температури, аналіз ІЧ-спектрів у твердому стані та термодеривато-
графічне дослідження в інтервалі температур 20-900oС виділеного гетероядерного β-дикетонату. На
основі отриманих даних для даної координаційної сполуки запропоновано поліядерну будову. В спресо-
ваному стані досліджено вплив температури та магнітного поля на фізичні властивості отриманого
матеріалу на основі сполуки (І). Встановлено температурну залежність електропровідності отри-
маного μ-пентаізопропоксо(трикупрум(ІІ), бісмут(ІІІ))тетраацетилацетонату і показано, що при
збільшенні температури від 303 К до 423 К його питомий опір суттєво зменшується від 5·1011 Ом·см
до 8·102 Ом·см, що свідчить про наявність напівпровідникових властивостей. На основі отриманих
експериментальних даних обчислено питому провідність дослідженого матеріалу, при Т1 = 303 К –
σ1 = 2,00·10-10 (Ом∙м)-1, а для Т2 = 423 К – σ2 = 0,125 (Ом·м)-1 та встановлено ширину забороненої зони
ΔЕ = 1,86 eB. Доведено, що досліджуваний матеріал є напівпровідником з носіями струму обох знаків.
