ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ФІЗИЧНІ ПАРАМЕТРИ (КУПРУМ, БІСМУТ)ВМІСНОНОГО Β-ДИКЕТОНАТУ

Abstract

Стаття присвячена дослідженню впливу температури та магнітного поля на фізичні параметри

(купрум, бісмут)вмісного β-дикетонату. В роботі наведено методику синтезу та виділено в твер- дому стані гетерометалічну координаційну сполуку. Експериментально доведено, що отримана спо- лука в спресованому стані володіє напівпровідниковими властивостями. Для синтезу гетероядерної

координаційної сполуки використано безводні хлориди бісмуту (ІІІ) і купруму (II) та пентан-2,4-діон, реакцію проведено в середовищі 2-пропанолу при нагріванні. Показано, що швидкість реакції синтезу

координаційної сполуки та її практичний вихід зростає в присутності протонно-акцепторного реа- гента. Встановлено практичний вихід синтезованого продукту, який дорівнює 84% від теоретично

обчисленого. Підтверджено чистоту та ідентичність гетероядерного μ-пентаізопропоксо(трикупр ум(ІІ), бісмут(ІІІ))тетраацетилацетонату (І) на основі даних елементного аналізу. Визначено, що до складу сполуки (І) входять атоми двох різних за природою металів, які знаходяться у співвідношенні Си : Ві = 3:1 і вона має таку брутто формулу: Cu3BiС35 О13Н68. Проведено дослідження магнітних

властивостей за кімнатної температури, аналіз ІЧ-спектрів у твердому стані та термодеривато- графічне дослідження в інтервалі температур 20-900oС виділеного гетероядерного β-дикетонату. На

основі отриманих даних для даної координаційної сполуки запропоновано поліядерну будову. В спресо- ваному стані досліджено вплив температури та магнітного поля на фізичні властивості отриманого

матеріалу на основі сполуки (І). Встановлено температурну залежність електропровідності отри- маного μ-пентаізопропоксо(трикупрум(ІІ), бісмут(ІІІ))тетраацетилацетонату і показано, що при

збільшенні температури від 303 К до 423 К його питомий опір суттєво зменшується від 5·1011 Ом·см до 8·102 Ом·см, що свідчить про наявність напівпровідникових властивостей. На основі отриманих експериментальних даних обчислено питому провідність дослідженого матеріалу, при Т1 = 303 К – σ1 = 2,00·10-10 (Ом∙м)-1, а для Т2 = 423 К – σ2 = 0,125 (Ом·м)-1 та встановлено ширину забороненої зони ΔЕ = 1,86 eB. Доведено, що досліджуваний матеріал є напівпровідником з носіями струму обох знаків.