Показати скорочений опис матеріалу

dc.contributor.author Купчак, І. М.
dc.contributor.author Корбутяк, Д. В.
dc.contributor.author Серпак, Н. Ф.
dc.date.accessioned 2025-03-21T08:22:59Z
dc.date.available 2025-03-21T08:22:59Z
dc.date.issued 2020
dc.identifier.citation Купчак І. М. Власні дефекти в квантових точках СdZnS / І. М. Купчак, Д. В. Корбутяк, Н. Ф. Серпак // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2020. - Т. 17, №2. - С. 50 - 59. uk_UA
dc.identifier.uri https://dspace.vnmu.edu.ua/123456789/8499
dc.description.abstract Дефекти у квантових точках можуть впливати на їх оптичні характеристики, створюючи додаткові канали випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації. Методом функціоналу густини проведено розрахунки структурних та електронних характеристик вакан- сій металу (кадмій, цинк) та міжвузлової сірки, як найбільш імовірних типів дефектів у нано- кристалах Cd1-xZnxS. Розраховано повну та парціальну густину електронних станів, проведено аналіз структурної релаксації. Виходячи з отриманих теоретичних результатів та наявних екс- периментальних даних зроблено висновок, що з усіх розглянутих типів дефектів лише вакансії кадмію можуть бути центрами випромінювальної рекомбінації у квантових точках Cd1-xZnxS. uk_UA
dc.language.iso uk_UA_ uk_UA
dc.subject квантові точки uk_UA
dc.subject дефекти uk_UA
dc.subject вакансія uk_UA
dc.subject CdZnS uk_UA
dc.subject метод функціоналу густини uk_UA
dc.title Власні дефекти в квантових точках СdZnS uk_UA
dc.type Article uk_UA


Файли цього елементу

Даний матеріал зустрічається у наступних зібраннях

Показати скорочений опис матеріалу