Показати скорочений опис матеріалу

dc.contributor.author Купчак, І. М. uk
dc.contributor.author Корбутяк, Д. В. uk
dc.contributor.author Серпак, Н. Ф. uk
dc.date.accessioned 2021-05-24T15:47:46Z
dc.date.available 2021-05-24T15:47:46Z
dc.date.issued 2020
dc.identifier.citation Купчак І. М. Електронні характеристики квантових точок СdS, що містять дефекти / І. М. Купчак, Д. В. Корбутяк, Н. Ф. Серпак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2020. - № 3/4. - С. 28-34. uk_UA
dc.identifier.uri https://dspace.vnmu.edu.ua/123456789/5264
dc.description.abstract Методом функціоналу густини з використанням базису плоских хвиль розраховано атомну структуру, густину електронних станів та спектри поглинання квантових точок CdS, що містять власні дефекти та домішки за міщення. Показано, що локальні стани у забороненій зоні таких нанокристалів формуються вакансіями кадмію і можуть бути центрами випромінювальної рекомбінації, тоді як інші утворюють енергетичні рівні або у гли бині валентної зони, або поблизу її вершини. uk_UA
dc.language.iso uk_UA_ uk_UA
dc.subject квантові точки uk_UA
dc.subject дефекти uk_UA
dc.subject вакансія uk_UA
dc.subject CdS
dc.subject метод функціоналу густини uk_UA
dc.title Електронні характеристики квантових точок СdS, що містять дефекти uk_UA
dc.type Article en


Файли цього елементу

Даний матеріал зустрічається у наступних зібраннях

Показати скорочений опис матеріалу